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NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備

NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備:NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7Torr極限真空)、PC全自動控制,

  • 產(chǎn)品型號:
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2023-11-13
  • 訪  問  量:1980
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產(chǎn)品詳情

等離子輔助MOCVD技術(shù)

NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備概述:NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7Torr極限真空)、PC全自動控制,*的安全互鎖。

目前,這項技術(shù)延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng),該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產(chǎn)量的要求。

NMC-4000(M) MOCVD設(shè)備特點:

  • 臺式系統(tǒng)
  • 10英寸不銹鋼腔體
  • 帶碰頭氣體分配器的射頻等離子源
  • 自動調(diào)節(jié)
  • 4英寸基片夾、可加熱到900°C
  • 5個帶獨立冷卻/加熱的起泡器
  • 加熱氣體管道
  • 附加流量控制器
  • 250升/秒渦輪分子泵組
  • 5×10-7托基準(zhǔn)壓
  • 電腦程序全自動驅(qū)動
  • 儀器模擬用戶界面
  • 緊急按鈕保護和安全互鎖

選配:

  • 立式獨立系統(tǒng)
  • 感應(yīng)耦合等離子或微波等離子源
  • 14英寸電解拋光立方體腔體
  • 8英寸或12英寸基片夾
  • 6英寸可加熱至700°C旋轉(zhuǎn)基板臺(4英寸可到950°C)
  • 附加的起泡器和MFC
  • 晶圓自動裝載/卸載
  • 可兼容集群配置

應(yīng)用:

  • 3到5族半導(dǎo)體層
  • 藍(lán)色發(fā)光二極管
  • 激光二極管
  • 紫外-可見光譜光電中的氮化銦納米棒
  • 3D或2D材料中的二硫化鉬、氮化硼、石墨烯
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