原子層沉積設(shè)備是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過(guò)其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來(lái)影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來(lái)非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
原子層沉積設(shè)備的特點(diǎn)
1、傳輸管路的優(yōu)化設(shè)計(jì)，有效地避免管路堵塞及交叉污染問(wèn)題
2、工業(yè)化級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)集成：PLC+工控機(jī)+觸摸屏
3、軟件操作界面友好，可真正實(shí)現(xiàn)“一鍵沉積”
4、完善全面的安全互鎖方案
5、實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)鍍膜工藝
技術(shù)指標(biāo)
1、本底真空：＜5.0×10-3torr，高性能機(jī)械泵（可定制其它款型）
2、樣品腔室：φ100mm+真空過(guò)渡腔（可定制其它款型）
3、前驅(qū)體源：3路
4、氧化/還原反應(yīng)物：3路
5、沉積溫度：室溫-500℃（可定制其他溫度）
6、前驅(qū)體管道溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
7、源瓶加熱溫度：室溫-120℃（可定制其他溫度）
原子層沉積設(shè)備是一款全自動(dòng)獨(dú)立的PC計(jì)算機(jī)控制的ALD原子層沉積系統(tǒng)，帶Labview軟件，具備四級(jí)密碼控制的用戶授權(quán)保護(hù)功能。系統(tǒng)為全自動(dòng)的安全互鎖設(shè)計(jì)，并提供了強(qiáng)大的靈活性，可以用于沉積多種薄膜（如：AL2O3,AlN,TiN,ZrO2,LaO2,HfO2,等等）。應(yīng)用領(lǐng)域包含半導(dǎo)體、光伏、MEMS等。
產(chǎn)品分類
更新時(shí)間：2022-12-28 
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