隨著原子層沉積技術(shù)與其他先進(jìn)技術(shù)不斷融合以及人們對原子層沉積設(shè)備的不斷改進(jìn)，諸如“等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)”、“空間式原子層沉積技術(shù)”、“流化床原子層沉積技術(shù)”等新型原子層沉積技術(shù)逐漸出現(xiàn)并在一定程度上有效解決了傳統(tǒng)熱原子層沉積技術(shù)所面臨的諸多難題。
在過去二十多年，等離子體增強(qiáng)原子層沉積技術(shù)發(fā)展迅速。通過巧妙設(shè)計(jì)等離子體引入方式，人們已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種等離子體增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備。
從文獻(xiàn)報(bào)道來看，針對太陽能光伏領(lǐng)域的應(yīng)用，一套成熟的空間式原子層沉積設(shè)備需保證每小時(shí)超過3000片156×156mm2規(guī)格Si片的生產(chǎn)能力。由于空間式原子層沉積設(shè)備中沉積速率不再受限于單個(gè)循環(huán)步驟的累計(jì)時(shí)間，僅取決于襯底或前驅(qū)體噴嘴在兩個(gè)半反應(yīng)區(qū)間移動(dòng)所需的時(shí)間，而薄膜厚度也僅取決于噴頭上所集成的沉積單元數(shù)量，若能保證1s通過一個(gè)這樣規(guī)格的Si片，目前的設(shè)計(jì)*可以滿足工業(yè)化應(yīng)用需求。此外，針對柔性襯底表面沉積時(shí)，采用轉(zhuǎn)動(dòng)式的反應(yīng)器設(shè)計(jì)，同樣能將沉積速率提升至1.2nm/s。
原子層沉積技術(shù)經(jīng)過四十多年的發(fā)展，無論是在沉積材料的種類還是具體沉積方法的擴(kuò)展與改進(jìn)上，都已經(jīng)取得了長足進(jìn)步，在眾多領(lǐng)域更是展現(xiàn)出令人期待的商業(yè)前景。但傳統(tǒng)的熱原子層沉積技術(shù)在發(fā)展過程中仍面臨著一些挑戰(zhàn)。
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更新時(shí)間：2020-05-20 
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